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　　在科学技术日益进步的今天，人们充分地享受到了集成电路、半导体带来的便利，但是在大型设备以及中等或更大功率的设备中，其发射功率，微波管以及电子管等真空器件仍然有着不可替代的作用。尤其是在电子技术迅速发展的当今，电子管在国防建设以及经济建设中有着至关重要的作用。在新技术、新材料以及新工艺的进步与发展中，电子管的设计与研究制造，尤其是电子管阴极的研究有了不断地发展与进步。作为核心技术的阴极电子管，自诞生以来就成为了真空器件中的关键部件，与器件的性能以及使用寿命有着非常密切的联系。目前，钍钨阴极使用范围比较广泛，但是在研究制造以及使用中，会带来放射性污染问题。因此，基于这一背景，掺杂稀土氧化物的钡钨冷阴极得到了进一步的研究与重视。